碳化硅晶圆基座,晶圆衬底

产品价格:
2500.00元/件
所属行业:
* 晶体配套部件
关 键 词:
碳化硅晶圆基座,晶圆衬底,产品,半导体设备专区,晶体专用部件,* 晶体配套部件
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最后更新:
2016-08-05 15:51
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产品详细说明

  • 品牌: huihan
  • 最高使用温度: 1600
  • 抗弯强度: ≧400
  • 抗压强度: ≧2200
  • 起订:2 件
  • 供货总量:100 件
  • 发货期限: 自买家付款之日起 15 天内发货
  • 所在地: 河北 石家庄市
  • 有效期至: 长期有效

       化学气相沉积碳化硅涂层的外延衬托器,碳化硅衬底(美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底)的LED芯片电极是L型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器件。

       碳化硅衬底的导热性能(碳化硅的导热系数为490W/(m.k))要比蓝宝石衬底高出10倍以上。使用碳化硅衬底的芯片电极为L型,两个电极分布在器件的表面和底部,所产生的热量可以通过电极直接导出;同时这种衬底不需要电流扩散层,因此光不会被电流扩散层的材料吸收,这样有提高了出光效率。

       SiC作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石,还没有第三种衬底用于GaNLED的商业化生产。SiC衬底有化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等。另外,SiC衬底吸收380纳米以下的紫外光,不适合用来研发380纳米以下的紫外LED。由于SiC衬底有益的导电性能和导热性能,可以较好的解决功率型GaNLED器件的散热问题,故在半导体照明技术领域占重要地位。
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