化学气相沉积碳化硅涂层的外延衬托器，碳化硅衬底（美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的LED芯片电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。
碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为490W/（m.k））要比蓝宝石衬底高出10倍以上。使用碳化硅衬底的芯片电极为L型，两个电极分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收，这样有提高了出光效率。
SiC作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石，还没有第三种衬底用于GaNLED的商业化生产。SiC衬底有化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等。另外，SiC衬底吸收380纳米以下的紫外光，不适合用来研发380纳米以下的紫外LED。由于SiC衬底有益的导电性能和导热性能，可以较好的解决功率型GaNLED器件的散热问题，故在半导体照明技术领域占重要地位。
